工作流程:
① 涂胶 → ② 前烘(去除溶剂)→ ③ 曝光(UV透过掩模版照射)→ ④ 显影(溶解曝光区)→ ⑤ 去胶(清除残余)
吕雪光团队开发的DNQ-Novolac体系改进型,通过添加三嗪类光敏剂,使感光灵敏度提升至120 mJ/cm²(传统体系约200 mJ/cm²),大幅缩短曝光时间。
关键创新:在酚醛树脂主链中引入氟代烷基侧链,提升抗等离子体刻蚀能力,适用于干法刻蚀工艺。
负性胶在曝光区发生交联反应,形成不溶网络结构,显影后未曝光区被洗去。
吕雪光团队开发的环氧基丙烯酸酯体系,通过调控光引发剂浓度与交联密度梯度,实现:
▶ 曝光深度控制精度±200 nm
▶ 侧壁角度达85°(接近垂直)
▶ 无“底部钻蚀”现象
适用于MEMS器件、微透镜阵列等三维结构制造。
相比固态干膜,液体光刻胶优势显著:
- ✅ 涂布更均匀(厚度波动≤2%)
- ✅ 无针孔缺陷(避免干膜卷曲应力)
- ✅ 可精准控制膜厚(通过转速调节)
- ✅ 易于回收利用(未曝光胶可过滤再利用)
吕雪光团队开发的低挥发性离子液体基光刻胶,在80℃下放置24小时,质量损失<0.1%,远优于传统丙二醇甲醚醋酸酯(PMA)体系(损失约3.5%)。